Back-scattered electron (BSE) images of polished surfaces for cold-sin的简体中文翻译

Back-scattered electron (BSE) image

Back-scattered electron (BSE) images of polished surfaces for cold-sintered CTO-xKMO are shown in Fig. 2(a–c). Microstructures appear dense in all studied ceramic composites (also observed in fracture surface of CTO-BMO, Fig. 2d), in agreement with data given in Table 1. Image contrast indicates that the microstructure is composed of two chemically discrete and distinct phases which are identified by EDS mapping (Fig. 2e-j) as KMO (light contrast) and CTO (dark contrast), respectively, consistent with XRD patterns and Raman spectra (Fig. 1). To check the compatibility of CTO-xKMO composite ceramics with Ag electrodes, Ag paste was introduced in the cold-sintered CTO-0.92KMO composite ceramics, with BSE images shown in Fig. 2(k,l). The bright regions correspond to Ag due to its greater weight averaged atomic number than CTO-0.92KMO with no evidence of reaction at the ceramic/electrode interface, indicating good compatibility.
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图2(a–c)显示了冷烧结CTO-xKMO的抛光表面的背向散射电子(BSE)图像。与表1中给出的数据一致,所有研究的陶瓷复合材料中的微观结构都致密(也在CTO-BMO的断裂表面中观察到),与表1中给出的数据一致。图像对比表明,微观结构由两个化学上离散且不同的相组成。通过EDS映射(图2e-j)确定为KMO(光对比度)和CTO(暗对比度),分别与XRD图谱和拉曼光谱(图1)一致。为了检查CTO-xKMO复合陶瓷与Ag电极的相容性,在冷烧结的CTO-0.92KMO复合陶瓷中引入了银浆,其BSE图像如图2(k,l)所示。由于Ag的重均原子数大于CTO-0,因此亮区对应于Ag。
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图2(a_c)显示了冷烧结CTO-xKMO抛光表面的后散电子(BSE)图像。所有研究的陶瓷复合材料(也观察到CTO-BMO的断裂表面,图2d)中的微观结构都显得密集,与表1中给出的数据一致。图像对比度表明,微观结构由两个化学离散和不同的相位组成,通过 EDS 映射(图 2e-j)分别标识为 KMO(光对比度)和 CTO(暗对比度),分别与 XRD 模式和拉曼光谱(图 1)一致。为了检查CTO-xKMO复合陶瓷与Ag电极的兼容性,在冷烧结的CTO-0.92KMO复合陶瓷中引入了Ag膏,BE图像如图2(k,l)所示。明亮的区域对应于Ag,其平均原子数比CTO-0.92KMO大,在陶瓷/电极界面上没有反应的迹象,表明其兼容性良好。
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冷烧结CTO xKMO抛光表面的背散射电子(BSE)图像如图2(a-c)所示。在所有研究的陶瓷复合材料中,微观结构看起来很致密(在CTO-BMO的断裂表面也观察到,图2d),与表1中给出的数据一致。图像对比表明,显微结构由两个化学上离散和不同的相组成,分别通过EDS图谱(图2e-j)确定为KMO(光对比度)和CTO(暗对比度),与XRD图谱和拉曼光谱(图1)一致。为了检查CTO-xKMO复合陶瓷与银电极的相容性,在冷烧结CTO-0.92KMO复合陶瓷中加入了银膏,BSE图像如图2(k,l)所示。由于Ag的重量平均原子序数大于CTO-0.92KMO,其亮区与Ag相对应,且在陶瓷/电极界面没有反应迹象,显示出良好的相容性。<br>
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