Back-scattered electron (BSE) image

Back-scattered electron (BSE) images of polished surfaces for cold-sintered CTO-xKMO are shown in Fig. 2(a–c). Microstructures appear dense in all studied ceramic composites (also observed infracture surface of CTO-BMO, Fig. 2d), in agreement with data given in Table 1. Image contrast indicates that the microstructure is composed of two chemically discrete and distinct phases which are identified by EDS mapping (Fig. 2e-j) as KMO (light contrast) and CTO (dark contrast), respectively, consistent with XRD patterns and Raman spectra (Fig. 1). To check the compatibility of CTO-xKMO

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图2（a–c）显示了冷烧结CTO-xKMO的抛光表面的背向散射电子（BSE）图像。<br>与表1中给出的数据一致，所有研究的陶瓷复合材料中的微观结构都致密（也在CTO-BMO的断裂表面中观察到），与表1中给出的数据一致。通过EDS映射（图2e-j）确定为KMO（光对比度）和CTO（暗对比度），分别与XRD图谱和拉曼光谱（图1）一致。检查CTO-xKMO的兼容性

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图2（a_c）显示了冷烧结CTO-xKMO抛光表面的后散电子（BSE）图像。微观结构在所有研究的陶瓷复合材料中显得密集（也观察到<br>CTO-BMO的断裂表面，图2d），与表1中给出的数据一致。图像对比度表明，微观结构由两个化学离散和不同的相位组成，通过 EDS 映射（图 2e-j）分别标识为 KMO（光对比度）和 CTO（暗对比度），分别与 XRD 模式和拉曼光谱（图 1）一致。检查 CTO-xKMO 的兼容性

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冷烧结CTO xKMO抛光表面的背散射电子（BSE）图像如图2（a-c）所示。在所有研究的陶瓷复合材料中，微观结构看起来很致密（在<br>CTO-BMO的断裂面，图2d），与表1给出的数据一致。图像对比表明，显微结构由两个化学上离散和不同的相组成，分别通过EDS图谱（图2e-j）确定为KMO（光对比度）和CTO（暗对比度），与XRD图谱和拉曼光谱（图1）一致。检查CTO xKMO的兼容性<br>

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