where Vo and Viare the output and input voltages, respectively. The me的简体中文翻译

where Vo and Viare the output and i

where Vo and Viare the output and input voltages, respectively. The measured insertion loss to be 29.6 dB and 45.8 dB, for MLC and SLC, respectively. The IL was reduced by 16.2 dB, due to the improved impedance match between 5L-MLC transducer and the source. Here we compared our transducer with the other MLC array transducers reported in the literature, as summarized in Table 3. Table 3 clearly shows that the co-fired temperature for our 5L-MLC transducer is much lower than the others (reduced from 1240 oC to 950 oC), enabling use of the inexpensive electrode, from Pt to 90Ag/10Pd. Moreover, the array developed in this work has a broader bandwidth than the linear array transducer with a center frequency of 2.25 MHz as reported in the literature [7]. In contrast with the other multilayer array transducers, the present multilayer array has the widest bandwidth, 33% higher than the 2.25 MHz and 2.0 MHz array transducer in Ref. 26, and 163% higher than the 1 MHz array transducer in Ref. 8.
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其中Vo和Viare分别为输出和输入电压。对于MLC和SLC,测得的插入损耗分别为29.6 dB和45.8 dB。由于5L-MLC传感器与信号源之间的阻抗匹配得到改善,因此IL降低了16.2 dB。在这里,我们将换能器与文献中报告的其他MLC阵列换能器进行了比较,如表3所示。表3清楚地表明,我们的5L-MLC换能器的共烧温度远低于其他换热器的温度(从1240 oC降低到950 oC),从而可以使用从Pt到90Ag / 10Pd的廉价电极。而且,在这项工作中开发的阵列具有比线性阵列换能器更宽的带宽,如文献[7]所述,其中心频率为2.25 MHz。与其他多层阵列换能器相比,本多层阵列具有最宽的带宽,比参考文献中的2.25 MHz和2.0 MHz阵列换能器高33%。26,比参考文献中的1 MHz阵列换能器高163%。8。
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其中Vo和 Viare 分别输出和输入电压。对于MLC和SLC,测量的插入损耗为29.6分贝和45.8分贝。由于 5L-MLC 传感器与源之间的阻抗匹配改进,IL 减少了 16.2 dB。在这里,我们将传感器与文献中报告的其他 MLC 阵列传感器进行比较,如表 3 所示。表 3 清楚地显示,我们的 5L-MLC 传感器的共射温度远远低于其他传感器(从 1240 oC 降低到 950 oC),从而可以使用从 Pt 到 90Ag/10Pd 的廉价电极。此外,在这项工作中开发的阵列具有比线性阵列传感器的带宽更宽,中心频率为2.25 MHz,如文献[7]所报告。与其他多层阵列传感器相比,当前多层阵列的带宽最宽,比参考 26 中的 2.25 MHz 和 2.0 MHz 阵列传感器高 33%,比参考 8 中的 1 MHz 阵列传感器高 163%。
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其中Vo和via分别是输出和输入电压。MLC和SLC的插入损耗分别为29.6db和45.8db。由于改进了5L-MLC传感器与电源之间的阻抗匹配,IL降低了16.2dB。在这里,我们将我们的传感器与文献中报告的其他MLC阵列传感器进行了比较,如表3所示。表3清楚地表明,我们的5L-MLC传感器的共烧温度比其他传感器低得多(从1240℃降低到950℃),从而可以使用廉价的电极,从铂到90Ag/10Pd。此外,与文献[7]报道的中心频率为2.25mhz的线阵换能器相比,本文研制的阵列具有更宽的带宽。与其他多层阵列传感器相比,本多层阵列具有最宽的带宽,比参考文献26中的2.25 MHz和2.0 MHz阵列传感器高33%,比参考文献8中的1 MHz阵列传感器高163%。<br>
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