A surface coating method was used to modify the CSP for BaTiO3 ceramic的简体中文翻译

A surface coating method was used t

A surface coating method was used to modify the CSP for BaTiO3 ceramics. Bulk densities up to ∼96% theoretical were obtained by cold sintering at 220 °C and 500 MPa. No Ti-rich amorphous layer forms on the surface of the coated powder, which had high activity. This facilitates the dissolution-precipitation process during the CSP and greatly enhances the ceramic density. Ba vacancies exist at the surface of the coated powders, so Ba(OH)2 solution was used to compensate Ba ions in the as-cold-sintered ceramics. The dielectric permittivity increased after compensation of the Ba ions. Post-annealing at 700 and 900 °C increases the relative density to 97%, and the resulting relative dielectric permittivities are 810 and 1550, respectively, at room temperature and 1 kHz.
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使用表面涂覆方法对BaTiO3陶瓷的CSP进行了改性。通过在220°C和500 MPa的温度下进行冷烧结,可得到高达〜96%理论值的堆积密度。在涂覆粉末的表面上没有形成富钛的无定形层,其具有高活性。这促进了CSP期间的溶解沉淀过程,并大大提高了陶瓷密度。涂层粉末表面存在Ba空位,因此使用Ba(OH)2溶液补偿冷烧结陶瓷中的Ba离子。补偿Ba离子后,介电常数增加。在700和900°C下进行后退火,相对密度增加到97%,并且在室温和1 kHz时,相对介电常数分别为810和1550。
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A surface coating method was used to modify the CSP for BaTiO3 ceramics. Bulk densities up to ∼96% theoretical were obtained by cold sintering at 220 °C and 500 MPa. No Ti-rich amorphous layer forms on the surface of the coated powder, which had high activity. This facilitates the dissolution-precipitation process during the CSP and greatly enhances the ceramic density. Ba vacancies exist at the surface of the coated powders, so Ba(OH)2 solution was used to compensate Ba ions in the as-cold-sintered ceramics. The dielectric permittivity increased after compensation of the Ba ions. Post-annealing at 700 and 900 °C increases the relative density to 97%, and the resulting relative dielectric permittivities are 810 and 1550, respectively, at room temperature and 1 kHz.
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采用表面涂覆法对钛酸钡陶瓷的CSP进行了改性。在220℃和500兆帕下,通过冷烧结获得了高达96%的理论体积密度。包覆粉体表面不形成富钛非晶层,具有较高的活性。这有利于CSP过程中的溶解沉淀过程,并大大提高了陶瓷的密度。由于包覆粉体表面存在Ba空位,采用Ba(OH)2溶液对as冷烧结陶瓷中的Ba离子进行了补偿。Ba离子补偿后介电常数增大。700℃和900℃退火后,相对密度增加到97%,在室温和1khz下,相对介电常数分别为810和1550。<br>
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