You must be cheerful now.

你现在一定很开朗。

1 簡介<br><br>ZnSnN2是一種II-IV-V2半導體材料，僅由地球有害、無毒和廉價元素組成。II-IV-V2 半導體與武鐵礦結構 III-N （III-V） 半導體密切相關，因此具有相似的電子和光學特性、直接帶狀和較大的光學吸收係數。InxGa1-xN 和 ZnSnN2 作為光伏吸收層都有很大的潛力。聚晶ZnSnN2薄膜在單晶基板（如藍寶石）上合成，採用MBE（分子束外延）、射頻濺射沉積、等離子輔助VLS（蒸汽-液體-固體）技術。ZnSnN2的光直帶gap被確定為1.7eV左右。此外，理論研究還報告說，ZnSnN2 具有可調的直接帶狀，範圍從 1 到 2 eV，具體取決於材料結晶的紊亂程度。在本文中，我們感興趣的是利用SCAPS-1D對ZnSNN2太陽能電池進行建模和模擬，以顯示緩衝液和吸收層厚度的影響，以及所研究的太陽能電池特性參數的溫度。太陽能電池電力模擬器結構（Scaps-1D）<br>是一個一維太陽能電池設備模擬器，能夠求解基本半導體方程、泊松和載波（電子和孔）的連續性方程。

你现在一定很高兴。