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Very recently, a new sintering tech
Very recently, a new sintering technique was developed by Randall, called the “Cold Sintering Process (CSP)”, by which high-dense ceramics can be achieved at extraordinarily low temperature (300℃)[11]. By using this technique, a numerous number of materials were prepared successfully, including ceramics, ceramic/ceramic composites, ceramic/2D nano- material composites, and ceramic/polymer composites, etc[12-16]. Take ZnO for example, after processing at temperature lower than 300℃ using CSP, high-dense ceramics with high relative density 95% were obtained, comparable to those prepared by conventional thermal sintering method[14]. Of particular significance is that the as-cold-sintered ZnO ceramics exhibited small gain size (2 μm), much smaller than those prepared by conventional thermal sintering method. However, the electrical conductivity was very low with values in the range of 10-4-10-6 S/cm after cold-sintering at temperatures from 126℃ to 250℃[14, 17]. Even though, the cold-sintering temperature increased to 305℃, the obtained electrical conductivity was still around 9.0 S/cm. Therefore, the electrical conductivity of the cold-sintered ZnO ceramics remains to be improved.
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最近，Randall开发了一种新的烧结技术，称为“冷烧结工艺（CSP）”，通过该工艺可以在极低的温度（300℃）下获得高密度的陶瓷[11]。通过使用这种技术，成功地制备了许多材料，包括陶瓷，陶瓷/陶瓷复合材料，陶瓷/ 2D纳米材料复合材料以及陶瓷/聚合物复合材料等[12-16]。以ZnO为例，用CSP在低于300℃的温度下加工后，可得到相对密度为95％的高密度陶瓷，与传统的热烧结方法相当[14]。特别重要的是，冷烧结后的ZnO陶瓷具有较小的增益尺寸（2μm），远小于通过常规热烧结方法制备的增益尺寸。然而，在126℃至250℃的温度下冷烧结后，电导率非常低，在10-4-10-6 S / cm的范围内[14，17]。即使将冷烧结温度提高到305℃，所获得的电导率仍为9.0S / cm左右。因此，冷烧结ZnO陶瓷的电导率仍有待提高。
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最近，Randall 开发了一种新的烧结技术，称为"冷烧结工艺 （CSP）"，通过该技术可以在极低温度 （300°C）[11] 下实现高密度陶瓷。利用该技术，成功制备了大量材料，包括陶瓷、陶瓷/陶瓷复合材料、陶瓷/2D纳米复合材料、陶瓷/聚合物复合材料等[12-16]。以ZnO为例，在温度低于300°C的CSP下加工后，获得高相对密度的高密度陶瓷95%，与传统热烧结方法制备的陶瓷相当[14]。特别重要的是，作为冷烧结的ZnO陶瓷表现出小增益大小（2μm），比传统热烧结法制备的陶瓷小得多。然而，在 126°C 至 250°C[14， 17] 温度下冷烧结后，电导率非常低，值在 10-4-10-6 S/cm 之间。尽管冷烧结温度上升到305°C，但获得的导电性仍保持在9.0 S/cm左右。因此，冷烧结锌陶瓷的导电性仍有待提高。
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最近，Randall开发了一种新的烧结技术，称为“冷烧结工艺（CSP）”，通过这种工艺，可以在非常低的温度（300℃）下获得高致密陶瓷[11]。利用该技术成功制备了多种材料，包括陶瓷、陶瓷/陶瓷复合材料、陶瓷/2D纳米材料复合材料、陶瓷/聚合物复合材料等[12-16]。以氧化锌为例，在低于300℃的温度下用CSP处理后，得到了相对密度高达95%的高致密陶瓷，与传统热烧结法制备的高致密陶瓷相当[14]。特别重要的是，冷烧结氧化锌陶瓷具有较小的增益尺寸（2μm），远小于传统热烧结法制备的氧化锌陶瓷。然而，在126℃~250℃【14，17】的温度下，冷烧结后的电导率很低，值在10-4-10-6s/cm范围内。冷烧结温度提高到305℃时，电导率仍在9.0s/cm左右。因此，低温烧结ZnO陶瓷的导电性有待提高。<br>
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