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A conventional ion implanter genera
A conventional ion implanter generally comprises three Sections or Subsystems: (i) an ion Source for outputting an ion beam, ii) a beamline including a mass analysis magnet for mass resolving the ion beam, and (iii) a target chamber which contains the Semiconductor wafer work piece to be implanted by the ion beam.8 The entire region between the ion Source and the Semiconductor wafer work piece is maintained at high Vacuum to prevent formation of neutrals by collision of beam ions with residual gas molecules.
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传统的离子注入机通常包括三个部分或子系统：（i）用于输出离子束的离子源，ii）包括用于质量解析离子束的质量分析磁体的束线，以及（iii）包含半导体的靶室被离子束注入的晶圆工件。<br>8<br>离子源和半导体晶圆工件之间的整个区域都保持在高真空状态，以防止束离子与残留气体分子碰撞形成中性离子。
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常规离子注入机通常包括三个部分或子系统：（i）用于输出离子束的离子源，ii）包括用于对离子束进行质量解析的质量分析磁铁的束线，以及（iii）包含将被离子束注入的半导体晶圆工件的靶室。<br>8.<br>离子源和半导体晶圆工件之间的整个区域保持在高真空状态，以防止束离子与残余气体分子碰撞而形成中性粒子。
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传统的离子注入机通常包括三个部分或子系统:(I)用于输出离子束的离子源，ii)包括用于质量解析离子束的质量分析磁体的束线，以及(iii)包含要被离子束注入的半导体晶片工件的靶室。8离子源和半导体晶片工件之间的整个区域保持在高真空下，以防止离子束与残余气体分子碰撞形成中性粒子。
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