It is speculated that the higher vo

It is speculated that the higher voltage in the section of breakdown and critical voltage makes the entire plasma discharge process more intense, giving rise to more cavities and ridges left on the surface of SEHi and SEH sample.

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據推測，擊穿區域中的較高電壓和臨界電壓使整個等離子體放電過程更加激烈，從而導致SEHi和SEH樣品表面殘留更多的空洞和隆起。

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據推測，故障和臨界電壓部分的較高電壓使整個等離子體放電過程更加激烈，導致SEHi和SEH樣品表面留下更多的空腔和山脊。

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推測擊穿電壓和臨界電壓越高，整個电浆放電過程越强烈，在SEHi和SEH樣品表面留下更多的空穴和脊線。<br>

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