A new strategy of 44&285 nm binary-

A new strategy of 44&285 nm binary-size particles system has been proposed and discussed systematically for fabricating fine grain, high density and low resistivity indium tin oxide (ITO) target. Polyvinyl pyrrolidone (PVP) and Polyvinyl alcohol (PVA) were used as dispersant and adhesive. The effects from PVP, PVA, sintering temperature and holding time have been systematically investigated. The target, prepared by 44 nm powders with a sintering temperature of 1550 and a holding time of 10 h, shows a maximum relative density of 99.31% and a minimum resistivity of 4.17 × 10-4 Ω·cm. Moreover, based on 285 nm powders, the target sintered at 1550 for 10 h shows a maximum relative density of 99.27% and a minimum resistivity of 4.11 × 10-4 Ω·cm. Significantly, 44&285 nm binary-size particles system obviously increases the density and decreases the resistivity of target. And the maximum relative density, minimum resistivity and grain size are 99.57%, 0.92 × 10-4 Ω·cm and 1.34 µm, respectively. In this model, the two designed particle

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提出并提出了一种新的44＆285 nm二元尺寸粒子系统的策略，该策略用于制备细晶粒，高密度和低电阻率的氧化铟锡靶。聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和聚乙烯醇（PVA）被用作分散剂和粘合剂。对PVP，PVA，烧结温度和保温时间的影响进行了系统的研究。由烧结温度为1550且保持时间为10 h的44 nm粉末制备的靶材，最大相对密度为99.31％，最小电阻率为4.17×10-4Ω·cm。此外，基于285 nm粉末，在1550烧结10 h的靶材显示出最大相对密度为99.27％，最小电阻率为4.11×10-4Ω·cm。值得注意的是，44＆285 nm二进制尺寸的粒子系统明显提高了密度，并降低了目标的电阻率。最大相对密度，最小电阻率和晶粒尺寸分别为99.57％，0.92×10-4Ω·cm和1.34 µm。在这个模型中，两个设计的粒子

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提出了44~285纳米二元粒系统的新策略，并系统地讨论了制造细粒、高密度和低电阻率氧化锡（ITO）目标。聚苯乙烯丙酮（PVP）和聚乙烯基醇（PVA）用作分散剂和粘合剂。对PVP、PVA、烧结温度和保持时间的影响进行了系统调查。该目标由烧结温度为1550和保持时间为10小时的44纳米粉末制备，最大相对密度为99.31%，最小电阻率为4.17× 10-4 Ωcm。此外，基于285纳米粉末，在1550度10小时下烧结的目标显示，最大相对密度为99.27%，最小电阻率为4.11× 10-4 Ωcm。值得注意的是，44×285 nm二元型颗粒系统明显增加了目标的密度，降低了电阻率。最大相对密度、最小电阻率和粒径分别为99.57%、0.92×10-4°cm和1.34μm。在此模型中，两个设计的粒子

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提出并系统地讨论了44&285nm二元粒子系统制备高密度、低电阻率、细晶粒铟锡氧化物（ITO）靶材的新策略。以聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和聚乙烯醇（PVA）为分散剂和粘合剂。系统地研究了PVP、PVA、烧结温度和保温时间对烧结效果的影响。用烧结温度为1550，保温时间为10h的44nm粉末制备的靶材，最大相对密度为99.31%，最小电阻率为4.17×10-4Ω·cm。此外，在285nm粉末的基础上，1550烧结10h的靶材的最大相对密度为99.27%，最小电阻率为4.11×10-4Ω·cm。明显地，44&285nm二元粒子体系明显增加了靶的密度，降低了靶的电阻率。最大相对密度为99.57%，最小电阻率为0.92×10-4Ω·cm，晶粒尺寸为1.34μm。在这个模型中，两个设计的粒子

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