Threshold voltage is a very important parameter in Mosfet, when the vo的简体中文翻译

Threshold voltage is a very importa

Threshold voltage is a very important parameter in Mosfet, when the voltage on the gate reaches a certain value, MOS devices start to produce conductive channel, this voltage is called on voltage is the threshold voltage. Mos fet is a metal-oxide-semiconductor structure of devices, it can actually be seen as a capacitor, the electrolyte of this capacitor is silicon dioxide, the two Poles are gate metal (or polycrystalline) layer and silicon surface layer, respectively, when a voltage is applied between a metal and a semiconductor, the two opposite surfaces of the semiconductor produce an equal amount of charge with opposite polarity. In the case of the NMOS transistor, for example, the energy band on the semiconductor surface bends upward as the VG rises, and the semiconductor surface from the majority of the carrier depletion state into a small number of carriers strong inversion state, when we call Mos tube open, the size of this voltage can be expressed as: .
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阈值电压是在MOSFET中的非常重要的参数,当在栅极上的电压达到一定值时,MOS器件开始产生导电沟道,该电压被称为上电压为阈值电压。MOS FET是装置的金属 - 氧化物 - 半导体结构,它实际上可以被看作是一个电容器,该电容器的电解质是二氧化硅,两极是栅极金属(或多晶硅)层和硅表面层,分别当的电压是由金属和半导体之间施加电压,在半导体的两个相对的表面产生的电荷的极性相反的等量。在NMOS晶体管的情况下,例如,在半导体表面上的能带向上弯曲为VG升高,
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阈值电压是Mosfet中一个非常重要的参数,当栅极上的电压达到一定值时,MOS器件开始产生导电通道,此电压调用电压是阈值电压。Mos fet是一种金属氧化物-半导体结构的器件,它实际上可以看作是一个电容器,该电容器的电解质是二氧化硅,两极分别为门金属(或多晶)层和硅表面层,当电压在金属和半导体之间施加,半导体的两个相反表面产生相等的电荷量,具有相反的极性。例如,在NMOS晶体管中,半导体表面的能量带随着 VG 上升而向上弯曲,而半导体表面从大多数载波损耗状态进入少量载波强反转状态,当我们调用 Mos 管打开,此电压的大小可以表示为: 。
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阈值电压是Mosfet中一个非常重要的参数,当栅极上的电压达到一定值时,MOS器件开始产生导电沟道,这个电压称为阈值电压。Mos fet是一种金属氧化物半导体结构的器件,它实际上可以看作是一个电容器,这个电容器的电解液是二氧化硅,两极分别是栅金属(或多晶硅)层和硅表面层,当金属和半导体之间施加电压时,半导体的两个相对表面产生等量的相反极性的电荷。例如,在NMOS晶体管的情况下,随着VG的升高,半导体表面的能带向上弯曲,并且半导体表面从大部分载流子耗尽状态转变为少量载流子强反转状态,当我们称之为Mos管打开时,该电压的大小可以表示为:。<br>
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